SiC MOSFET 被负压影响阀值漂移是因为这种器件具有较高的漏电流，这会导致控制端电压与源端电压之间的差值变小，从而影响 MOSFET 的开关性能。此外，高负压还可能导致 MOSFET 进入破裂模式，并引发其他不良影响。
为了减少这种影响，通常采取以下措施：
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采用与 MOSFET 相匹配的驱动电路，以保证其最大负压限制。
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在设计中加入合适的电容器和限流电阻，以保护 MOSFET。
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使用与 MOSFET 相匹配的开关频率和占空比，以避免长时间的高负压暴露。
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采用合适的热管理措施，以降低设备的温度，降低负压对 MOSFET 的影响。
总之，减少 SiC MOSFET 被负压影响阀值漂移的关键是在设计时加以考虑，采用适当的电路和技术来保护 MOSFET 的性能。(长电-MOS)