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CJB04N65,长电,MOSFETS

CJB04N65

MOS ,N-ch ,CJB04N65 ,2W ,4A ,650V ,TO-263-2L

图像仅供参考 详情请参照图纸

产品编号: MOS-MNM0872W00M2665016CJ
制造商产品编号: CJB04N65
制造商 : 长电
系列 : 长电-MOS
产品类型 : MOSFETS
类型 : N-ch
功率(PD) : 2W
电流(ID) : 4A
电压(V) : 650V
封装 : TO-263-2L
说明: MOS ,N-ch ,CJB04N65 ,2W ,4A ,650V ,TO-263-2L

系列介绍 查找相似

属性名称 属性值
制造商 长电
产品系列 长电-MOS管
产品类别 MOSFETS
欧盟RoHS指令 符合(2011/65/EU)要求
欧盟REACH法规 不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

文件

文件类型 文件名
R02-0201-4K12DAC001GVTR
高精密薄膜贴片电阻 ,0201 ,4.12K ,±0.5% ,1/20W ,- ,±25PPM
R02-0402-48K7B1Y001GVTR
高精密薄膜贴片电阻 ,0402 ,48.7K ,0.1% ,1/16W ,- ,±25PPM
R02-0402-49K9D1Y001GVTR
高精密薄膜贴片电阻 ,0402 ,49.9K ,±0.5% ,1/16W ,- ,±25PPM
R02-0402-59K0D1Y001FVTR
高精密薄膜贴片电阻 ,0402 ,59K ,±0.5% ,1/16W ,- ,±15PPM
R02-0805-274KD1W001GVTR
高精密薄膜贴片电阻 ,0805 ,274K ,±0.5% ,1/8W ,- ,±25PPM
R13-0402-3K00D1X001LSTH
抗硫化厚膜贴片电阻 ,0402 ,3K ,±0.5% ,1/10W ,- ,±100PPM

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