SiC MOSFET的电性测试项目Vgs主要指门源电压（Gate-Source Voltage）。Vgs是指通过控制门极电压，调节MOSFET导通电流的电压值。在测试中，通常会测量MOSFET在不同Vgs下的漏极电流和导通电阻等参数，以评估其性能。对于SiC MOSFET来说，由于其高电场强度和高温特性，Vgs测试需要特别注意测试环境的抗干扰能力和温度控制等方面，以确保测试结果的准确性和可靠性。
反向恢复电流（Reverse Recovery Current，简称Irr）是指在二极管反向恢复过程中，流过二极管的电流。在SiC材料中，反向恢复电流比Si材料中的要小得多，这是由于SiC材料的电子亲和能较高，电子的复合速率也较快，使得SiC二极管的反向恢复时间较短，因此反向恢复电流也就较小。同时，由于SiC材料的耐高温特性，可以采用更高的结温来提高设备的开关速度和可靠性，这也有助于降低反向恢复电流。因此，使用SiC材料制造的二极管和MOSFET器件，其反向恢复电流往往比同等条件下的Si器件要小得多。这种特点使得SiC功率器件在高频开关应用中表现出色，例如电力电子变换器、电动汽车、太阳能逆变器等领域。（君芯-MOS）