SiC MOSFET 的门极阈值电压（Vth）不同的原因可能有以下几种：
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材料差异：SiC MOSFET 的门极阈值电压取决于其主要结构材料的性质，不同的材料可能导致阈值电压的差异。
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制造差异：不同的制造工艺也可能导致 SiC MOSFET 门极阈值电压的差异。
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结构差异：SiC MOSFET 的结构设计也可能导致门极阈值电压的差异，例如在掺杂等工艺中。
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温度效应：温度对 SiC MOSFET 门极阈值电压也有影响，不同的温度可能导致阈值电压的差异。
以上原因均可导致 SiC MOSFET 门极阈值电压的差异，因此在选择 SiC MOSFET 时，应仔细考虑并选择适合特定应用的产品。(君芯-MOS)
