在P沟道增强型场效应晶体管（P-Channel Enhanced Mode FET）中，VDS代表的是漏极（Drain）和源极（Source）之间的电压，CGS代表的是栅极（Gate）和源极之间的电容。
计算VDS时，需要考虑P-Channel Enhanced Mode FET的工作状态，一般情况下可以采用以下公式进行计算：
VDS = VDD – ID * RD
其中，VDD代表电路中的电源电压，ID代表P-Channel Enhanced Mode FET的漏极电流，RD代表漏极负载电阻。这个公式基于欧姆定律和基尔霍夫电压定律，可以用于计算不同工作状态下的VDS。
计算CGS时，需要考虑P-Channel Enhanced Mode FET的栅极和源极之间的电容特性。一般情况下可以采用以下公式进行计算：
CGS = ε * A / d
其中，ε代表栅介质的介电常数，A代表栅极面积，d代表栅介质的厚度。这个公式基于电容的定义公式，可以用于计算P-Channel Enhanced Mode FET的CGS。需要注意的是，在实际设计中，由于P-Channel Enhanced Mode FET的栅极和源极之间的电容相对较小，因此往往可以忽略不计。（长电-MOS）
