英飞凌的 12V - 40V N 沟道功率 MOSFET 系列经优化可实现高电流能力和低 RDS(on)，适合多种应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器及 DC - DC 转换器等。其低压 MOSFET 应用广泛，可用于无线充电器、电池供电应用以及 RC 电动车等低压驱动应用。
英飞凌 12V - 40V N 沟道功率 MOSFET 系列具有诸多特点。该系列小巧紧凑，品类齐全，包含适用于低、中、高功率应用的 OptiMOS™及 StrongIRFET™技术系列。其产品系列涵盖 20V N 沟道功率 MOSFET、30V N 沟道 MOSFET 以及 40V N 沟道 MOSFET。英飞凌 OptiMOS™产品组合具有更高效率和功率密度，而种类齐全的 StrongIRFET™产品则持久耐用，性能出色。依托这两大产品系列，英飞凌得以打造出既能优化热性能，又可在减少占板面积的同时增强额定电流的紧凑型解决方案。
12V - 40V N 沟道 MOSFET 产品组合分为两大类。第一类为“在售且首选”型器件，指具备出色性能和低 RDS(on)的最新在售技术产品。第二类是“在售”产品，适合宽域开关频率应用，可提供业界一流的品质因数 (FOM) 以及高效率和功率密度。
OptiMOS™ 25V MOSFET 成为服务器、数据通信和电信应用的理想选择之一，此类应用均需要极低电压 MOSFET 稳压器解决方案。OptiMOS™ 30V N 沟道 MOSFET 旨在改善 EMI 特性，延长电池使用寿命，因此尤为适用于笔记本的电源管理。在最新的 40V MOSFET 中，针对高电流和低 RDS(on)进行了优化。采用新的 D2PAK 7pin 封装扩展了可互换引脚选项，极大增强了设计灵活性。与标准封装相比，新系列的 RDS(on)低 13%，载流能力高 50%。IRF40SC240 的最大 RDS (on) 仅为 0.65 毫欧，典型值为 0.5 毫欧。基于封装限制下的最大连续漏极电流为 360A，较之前系列均有大提升。
IRF40SC240 不仅提供了更高的灵活性，低 RDS(on)下传导损耗也有所减少，更高的电流能力意味着功率密度的大提升，而 IRF40SC240 还针对 10V 栅极驱动进行了优化，在嘈杂的环境中提供对错误开启的免疫力。
