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OptiMOS™ 25V MOSFET 在应用中优势明显。它具备行业最低的导通电阻、最低的栅极电荷以及最低的输出电容等特性,无论在任何负载条件下,都可使 MOSFET 功耗降低 20%,同时达到更高的性能。此外,更高的功率密度还能让典型电源的降压转换器的占板空间缩小 40%以上。在服务器电源的电压调节电路和电信/数据通信的开关等应用中表现出色,能够显著提升系统的能效和稳定性。

OptiMOS™ 30V N 沟道 MOSFET 主要适用于笔记本的电源管理。其旨在改善 EMI 特性,延长电池使用寿命,为用户提供更长久和稳定的电力支持。在需要高效电源管理和优化电磁干扰特性的场景中,能够发挥重要作用,确保设备的稳定运行和性能表现。

英飞凌 40V MOSFET 在多个方面进行了优化。例如,采用源极底置 (SD, Source-Down) PQFN 封装,尺寸为 3.3mm x 3.3 mm,可使 RDS(on)大大降低 25%,接面与外壳间的热阻 RDS(on)亦获得大幅改善。此外,中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化,SD 封装的内部采用上下倒置的芯片,让源极电位能通过导热片连接至 PCB,最终可使 RDS(on)大大降低。
 
英飞凌的 12V - 40V N 沟道功率 MOSFET 系列在功率半导体领域表现出色,以其丰富的分类、显著的特点和优化的性能,为众多应用场景提供了高效、稳定和可靠的解决方案,推动了相关技术的发展和应用。

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