碳化硅二极管是单极器件,因此与传统的硅快速恢复二极管(硅FRD)相比,碳化硅二极管具有理想的反向恢复特性。当器件从正向切换到反向阻断方向时,几乎没有反向恢复功率,反向恢复时间小于20ns,甚至600V10A碳化硅二极管的反向恢复时间也小于10ns。
碳化硅(SiC)二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管,号称反向恢复时间为零,是高效PFC boost电路的专用升压二极管。
碳化硅(SiC)MOSFET 的电路符号与传统的硅 MOSFET 的符号类似,只是在符号上加上了一些特殊的标记来表示其特性。
在P沟道增强型场效应晶体管(P-Channel Enhanced Mode FET)中,VDS代表的是漏极(Drain)和源极(Source)之间的电压,CGS代表的是栅极(Gate)和源极之间的电容。计算VDS时,需要考虑P-Channel Enhanced Mode FET的工作状态,一般情况下可以采用以下公式进行计算:
碳化硅(SiC)二极管具有较低的开关损耗、高的反向耐压和热稳定性,已经得到广泛应用。下面是SiC二极管的使用方法和检测方法: